Vishay N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 180-7743
- Producentens varenummer:
- SIS476DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,69
(ekskl. moms)
Kr. 108,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,669 | Kr. 86,69 |
| 100 - 240 | Kr. 8,25 | Kr. 82,50 |
| 250 - 490 | Kr. 6,687 | Kr. 66,87 |
| 500 - 990 | Kr. 5,206 | Kr. 52,06 |
| 1000 + | Kr. 4,862 | Kr. 48,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7743
- Producentens varenummer:
- SIS476DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0035Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Bredde | 3.61mm | |
| Længde | 3.61mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0035Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Bredde 3.61mm | ||
Længde 3.61mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIS476DN er en N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 30 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,0025 ohm ved 10 VGS og 0,0035 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 40 A.
Trench FET gen IV Power MOSFET
100 % Rg og UIS-testet