Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 70,09

(ekskl. moms)

Kr. 87,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,009Kr. 70,09
100 - 240Kr. 6,657Kr. 66,57
250 - 490Kr. 5,401Kr. 54,01
500 - 990Kr. 4,211Kr. 42,11
1000 +Kr. 3,934Kr. 39,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7743
Producentens varenummer:
SIS476DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0035Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Bredde

3.61 mm

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Længde

3.61mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SIS476DN er en N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 30 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,0025 ohm ved 10 VGS og 0,0035 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 40 A.

Trench FET gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links