Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-6920
Producentens varenummer:
SIS415DNT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0095Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

12 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.4mm

Bredde

3.4 mm

Højde

0.8mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links