Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III Nej SIS415DNT-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 20 enheder)*

Kr. 94,86

(ekskl. moms)

Kr. 118,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.880 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
20 +Kr. 4,743Kr. 94,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1304
Producentens varenummer:
SIS415DNT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

35A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0095Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

55.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

0.8mm

Længde

3.4mm

Bredde

3.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links