Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- RS-varenummer:
- 814-1304
- Producentens varenummer:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 814-1304
- Producentens varenummer:
- SIS415DNT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen III | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0095Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET Gen III | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0095Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Type P-Kanal 127.5 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET