Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV Nej
- RS-varenummer:
- 180-7361
- Producentens varenummer:
- SIS476DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.014,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.516,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,338 | Kr. 10.014,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7361
- Producentens varenummer:
- SIS476DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0035Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.61mm | |
| Bredde | 3.61 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0035Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.61mm | ||
Bredde 3.61 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIS476DN er en N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 30 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,0025 ohm ved 10 VGS og 0,0035 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 40 A.
Trench FET gen IV Power MOSFET
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV Nej SIS476DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej SiSS22LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej SISS50DN-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III Nej
