Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.014,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.516,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 31. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,338Kr. 10.014,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7361
Producentens varenummer:
SIS476DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0035Ω

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.61mm

Bredde

3.61 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SIS476DN er en N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på 30 V. Gate til kildespænding (VGS) er 20 V. Den har Power PAK 1212-8-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,0025 ohm ved 10 VGS og 0,0035 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm 40 A.

Trench FET gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links