Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm, Effekt MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 88,41

(ekskl. moms)

Kr. 110,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 17,682Kr. 88,41
50 - 120Kr. 15,888Kr. 79,44
125 - 245Kr. 13,27Kr. 66,35
250 - 495Kr. 10,576Kr. 52,88
500 +Kr. 8,872Kr. 44,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5025
Producentens varenummer:
SiSF20DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

18mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22nC

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Min. driftstemperatur

150°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Fælles skærm

Højde

0.75mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Fælles - Aftap dobbelt N-kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav kilde-til-kilde på modstand

Integrerede, fælles dræn n-channel MOSFET'er i en kompakt og termisk forbedret pakke

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.