Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 202,775

(ekskl. moms)

Kr. 253,475

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 8,111Kr. 202,78
125 - 225Kr. 6,487Kr. 162,18
250 - 600Kr. 5,676Kr. 141,90
625 - 1225Kr. 4,865Kr. 121,63
1250 +Kr. 4,62Kr. 115,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6855
Producentens varenummer:
SiSS22LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

92.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 er en N-kanal 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links