Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6855
- Producentens varenummer:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 248,25
(ekskl. moms)
Kr. 310,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 9,93 | Kr. 248,25 |
| 125 - 225 | Kr. 7,947 | Kr. 198,68 |
| 250 - 600 | Kr. 6,95 | Kr. 173,75 |
| 625 - 1225 | Kr. 5,96 | Kr. 149,00 |
| 1250 + | Kr. 5,655 | Kr. 141,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6855
- Producentens varenummer:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 92.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 92.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 er en N-kanal 60 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 60 A 25 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 127.5 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay N-kanal-Kanal 461 A 60 V N PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-kanal-Kanal 361 A 80 V N PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV