Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 186,775

(ekskl. moms)

Kr. 233,475

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 7,471Kr. 186,78
125 - 225Kr. 7,097Kr. 177,43
250 - 600Kr. 6,352Kr. 158,80
625 - 1225Kr. 5,981Kr. 149,53
1250 +Kr. 5,155Kr. 128,88

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6843
Producentens varenummer:
SIJ150DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Serie

TrenchFET Gen IV

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

4.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.4mm

Højde

3.4mm

Bredde

0.98 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIJ150DP-T1-GE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten

Fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning

100 % Rg og UIS-testet

Qgd/Qgs forhold< 1 optimerer skiftekarakteristika

Relaterede links