Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6843
- Producentens varenummer:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 223,35
(ekskl. moms)
Kr. 279,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 8,934 | Kr. 223,35 |
| 125 - 225 | Kr. 8,488 | Kr. 212,20 |
| 250 - 600 | Kr. 7,597 | Kr. 189,93 |
| 625 - 1225 | Kr. 7,151 | Kr. 178,78 |
| 1250 + | Kr. 6,164 | Kr. 154,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6843
- Producentens varenummer:
- SIJ150DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIJ150DP-T1-GE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten
Fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold< 1 optimerer skiftekarakteristika
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 110 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 65.8 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV