Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej SIDR638DP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 200-6839
- Producentens varenummer:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 39.630,00
(ekskl. moms)
Kr. 49.530,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 13,21 | Kr. 39.630,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6839
- Producentens varenummer:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 204nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 0.61mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 204nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 0.61mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIDR638DP-T1-RE3 er en N-kanal 40 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V PowerPAK SO-8DC, TrenchFET® Gen IV SIDR638DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 110 A 45 V PowerPAK SO-8, TrenchFET® Gen IV SIR150DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 65 8 ben TrenchFET® Gen IV SiR106ADP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 81 A 100 V PowerPAK SO-8, TrenchFET® Gen IV SiR104ADP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 108 A 45 V PowerPAK 1212-8S, TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 A 45 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 92 8 ben TrenchFET® Gen IV SiSS22LDN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 18 8 ben TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3