Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 45 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 268,60

(ekskl. moms)

Kr. 335,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 5,372Kr. 268,60
100 - 200Kr. 4,246Kr. 212,30
250 - 450Kr. 3,762Kr. 188,10
500 - 1200Kr. 3,492Kr. 174,60
1250 +Kr. 2,901Kr. 145,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6845
Producentens varenummer:
SIR150DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.97mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

6.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIR150DP-T1-RE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

45 V drænkildespænding

Indstillet til lavt QG og Qoss

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links