Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 18.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6796
- Producentens varenummer:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 4.374,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.466,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,458 | Kr. 4.374,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6796
- Producentens varenummer:
- Si4425FDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Si4425FDY-T1-GE3 er en P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-kanal power-MOSFET
100% Rg testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 65.8 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 110 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV