Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 262,10

(ekskl. moms)

Kr. 327,625

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 25 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 10,484Kr. 262,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6862
Producentens varenummer:
SiR104ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.15mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiR104ADP-T1-RE3 er en N-kanal 100 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links