Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 298,45

(ekskl. moms)

Kr. 373,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 11,938Kr. 298,45
50 - 100Kr. 10,146Kr. 253,65
125 - 225Kr. 9,192Kr. 229,80
250 - 600Kr. 7,402Kr. 185,05
625 +Kr. 7,30Kr. 182,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6862
Producentens varenummer:
SiR104ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.15mm

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiR104ADP-T1-RE3 er en N-kanal 100 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links