Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6840
- Producentens varenummer:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 699,075
(ekskl. moms)
Kr. 873,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 27,963 | Kr. 699,08 |
| 50 - 100 | Kr. 22,65 | Kr. 566,25 |
| 125 - 225 | Kr. 20,971 | Kr. 524,28 |
| 250 + | Kr. 19,58 | Kr. 489,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6840
- Producentens varenummer:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 204nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.15mm | |
| Højde | 0.61mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 204nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.15mm | ||
Højde 0.61mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIDR638DP-T1-RE3 er en N-kanal 40 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 110 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 65.8 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 108 A 45 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV