Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 626,00

(ekskl. moms)

Kr. 782,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 25,04Kr. 626,00
50 - 100Kr. 20,283Kr. 507,08
125 - 225Kr. 18,778Kr. 469,45
250 +Kr. 17,533Kr. 438,33

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6840
Producentens varenummer:
SIDR638DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET Gen IV

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.16mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

204nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

0.61mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIDR638DP-T1-RE3 er en N-kanal 40 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

Kølefunktion i toppen giver et ekstra sted til termisk overførsel

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links