Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.650,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.320,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,55Kr. 10.650,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6841
Producentens varenummer:
SIJ150DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

4.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

0.98 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Højde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIJ150DP-T1-GE3 er en N-kanal 45 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten

Fleksible ledninger giver modstandsdygtighed over for mekanisk belastning

100 % Rg og UIS-testet

Qgd/Qgs forhold< 1 optimerer skiftekarakteristika

Relaterede links