Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 18 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS413DN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 180-7936
- Producentens varenummer:
- SIS413DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 79,00
(ekskl. moms)
Kr. 98,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 3,95 | Kr. 79,00 |
| 200 - 480 | Kr. 3,864 | Kr. 77,28 |
| 500 - 980 | Kr. 3,235 | Kr. 64,70 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,528 | Kr. 50,56 |
| 2000 + | Kr. 2,128 | Kr. 42,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7936
- Producentens varenummer:
- SIS413DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0094Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.61mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.61 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0094Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35.4nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.61mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.61 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, PowerPAK-1212-8 pakke, som er et nyt produkt i en alder med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 9,4 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 52 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• halogen- og blyfrit (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• Belastningskontakter
• Mobil databehandling
• Strømstyring
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SI7119DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS407ADN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS23DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS27DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III Nej SIS415DNT-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 127.5 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III Nej SiSS63DN-T1-GE3
