Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SI7119DN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 180-7820
- Producentens varenummer:
- SI7119DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 62,76
(ekskl. moms)
Kr. 78,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 8.790 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,276 | Kr. 62,76 |
| 100 - 240 | Kr. 5,962 | Kr. 59,62 |
| 250 - 490 | Kr. 4,518 | Kr. 45,18 |
| 500 - 990 | Kr. 4,077 | Kr. 40,77 |
| 1000 + | Kr. 3,456 | Kr. 34,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7820
- Producentens varenummer:
- SI7119DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Min. driftstemperatur | 50°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Min. driftstemperatur 50°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 200 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 1050 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 52 W og kontinuerlig drænstrøm på 3,8 A. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. Den har anvendelser i den aktive klemme i mellemliggende DC/DC strømforsyninger. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• lav termisk modstand, powerpak-hus med lille størrelse og lav 1.07 mm profil
• maksimal tabseffekt 52 W.
Driftstemperaturområde mellem -50 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS413DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS407ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS23DN-T1-GE3