Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 7.122,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.904,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,374Kr. 7.122,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7307
Producentens varenummer:
SI7119DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.8A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.1Ω

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.6nC

Min. driftstemperatur

50°C

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Højde

1.07mm

Standarder/godkendelser

IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 200 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 1050 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 52 W og kontinuerlig drænstrøm på 3,8 A. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. Den har anvendelser i den aktive klemme i mellemliggende DC/DC strømforsyninger. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• lav termisk modstand, powerpak-hus med lille størrelse og lav 1.07 mm profil

• maksimal tabseffekt 52 W.

Driftstemperaturområde mellem -50 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links