Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 814-1314
- Producentens varenummer:
- SISS23DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 75,82
(ekskl. moms)
Kr. 94,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.900 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 3,791 | Kr. 75,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1314
- Producentens varenummer:
- SISS23DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 195nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.78mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 195nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.78mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS27DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISA04DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSS54DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SI7116BDN-T1-GE3
