Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 75,82

(ekskl. moms)

Kr. 94,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.900 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 3,791Kr. 75,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
814-1314
Producentens varenummer:
SISS23DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

27A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

195nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.78mm

Bredde

3.3 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links