Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 165-6922
- Producentens varenummer:
- SISS23DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 8.268,00
(ekskl. moms)
Kr. 10.335,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,756 | Kr. 8.268,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6922
- Producentens varenummer:
- SISS23DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 195nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 0.78mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 195nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 0.78mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -104 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 127.5 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET