Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 6.573,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.217,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 2,191Kr. 6.573,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4299
Producentens varenummer:
SISS27DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Højde

0.78mm

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links