Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
919-4299
Producentens varenummer:
SISS27DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.78mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.