Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISA10DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 61,78

(ekskl. moms)

Kr. 77,22

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,178Kr. 61,78
100 - 240Kr. 5,101Kr. 51,01
250 - 490Kr. 4,974Kr. 49,74
500 - 990Kr. 4,84Kr. 48,40
1000 +Kr. 4,712Kr. 47,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
787-9409
Producentens varenummer:
SISA10DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links