Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 228-2824
- Producentens varenummer:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 7.626,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.534,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,542 | Kr. 7.626,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2824
- Producentens varenummer:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.
Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og
øg effektiviteten
Optimerede Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer
skifterelaterede strømsvigt
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V PowerPAK 1212-8PT, TrenchFET SI7116BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 13 8 ben TrenchFET Si7252ADP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 72 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA14BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 87 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 104 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA10BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK 1212-8PT SISA18BDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISA04DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 42.3 A. 70 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3
