Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2825
- Producentens varenummer:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 72,78
(ekskl. moms)
Kr. 90,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,278 | Kr. 72,78 |
| 100 - 240 | Kr. 6,926 | Kr. 69,26 |
| 250 - 490 | Kr. 5,483 | Kr. 54,83 |
| 500 - 990 | Kr. 5,101 | Kr. 51,01 |
| 1000 + | Kr. 4,368 | Kr. 43,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2825
- Producentens varenummer:
- SI7116BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.
Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og
øg effektiviteten
Optimerede Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer
skifterelaterede strømsvigt
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 85 A 12 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET