Vishay N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 72,78

(ekskl. moms)

Kr. 90,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.990 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,278Kr. 72,78
100 - 240Kr. 6,926Kr. 69,26
250 - 490Kr. 5,483Kr. 54,83
500 - 990Kr. 5,101Kr. 51,01
1000 +Kr. 4,368Kr. 43,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2825
Producentens varenummer:
SI7116BDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

750μm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og

øg effektiviteten

Optimerede Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer

skifterelaterede strømsvigt

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.