Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 68,67

(ekskl. moms)

Kr. 85,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,867Kr. 68,67
100 - 240Kr. 6,538Kr. 65,38
250 - 490Kr. 5,169Kr. 51,69
500 - 990Kr. 4,81Kr. 48,10
1000 +Kr. 4,121Kr. 41,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2825
Producentens varenummer:
SI7116BDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og

øg effektiviteten

Optimerede Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer

skifterelaterede strømsvigt

Relaterede links