Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SI7116BDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 68,67

(ekskl. moms)

Kr. 85,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,867Kr. 68,67
100 - 240Kr. 6,538Kr. 65,38
250 - 490Kr. 5,169Kr. 51,69
500 - 990Kr. 4,81Kr. 48,10
1000 +Kr. 4,121Kr. 41,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2825
Producentens varenummer:
SI7116BDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

Meget lav QG og Qoss reducerer effekttab og

øg effektiviteten

Optimerede Qg-, Qgd- og Qgd/Qgs-forhold reducerer

skifterelaterede strømsvigt

Relaterede links