Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dobbelt, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2924
- Producentens varenummer:
- SiS590DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 8.874,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.094,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,958 | Kr. 8.874,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2924
- Producentens varenummer:
- SiS590DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 dobbelt | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.251Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 dobbelt | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.251Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Combo N- og P-kanal -100 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET