Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dobbelt, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 75,47

(ekskl. moms)

Kr. 94,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.920 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,547Kr. 75,47
100 - 240Kr. 7,099Kr. 70,99
250 - 490Kr. 6,418Kr. 64,18
500 - 990Kr. 6,044Kr. 60,44
1000 +Kr. 5,662Kr. 56,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2925
Producentens varenummer:
SiS590DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8 dobbelt

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.251Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

23.1W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Combo N- og P-kanal -100 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.