Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dobbelt, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 72,48

(ekskl. moms)

Kr. 90,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.920 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,248Kr. 72,48
100 - 240Kr. 6,814Kr. 68,14
250 - 490Kr. 6,156Kr. 61,56
500 - 990Kr. 5,797Kr. 57,97
1000 +Kr. 5,438Kr. 54,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2925
Producentens varenummer:
SiS590DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8 dobbelt

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.251Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

23.1W

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Combo N- og P-kanal -100 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links