Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dobbelt, TrenchFET

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2925
Producentens varenummer:
SiS590DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8 dobbelt

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.251Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

23.1W

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Combo N- og P-kanal -100 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.