Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 165-2807
- Producentens varenummer:
- SISA04DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.623,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.278,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,541 | Kr. 10.623,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-2807
- Producentens varenummer:
- SISA04DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.73V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.15 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Længde | 3.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.73V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.15 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Længde 3.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISA04DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 40 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SiSS12DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 42.3 A. 70 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SiS176LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISA10DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 27 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISS23DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 45.3 A. 70 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 23 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET SISS27DN-T1-GE3
