Vishay N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- RS-varenummer:
- 188-4896
- Producentens varenummer:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 188-4896
- Producentens varenummer:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00215Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Højde | 930μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00215Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. -16V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.3mm | ||
Højde 930μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV power MOSFET
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- Vishay N-Kanal 67.4 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -104 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
- Vishay N-Kanal 65 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 20 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET