Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN Nej SiSHA14DN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-4957
- Producentens varenummer:
- SiSHA14DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 109,05
(ekskl. moms)
Kr. 136,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.825 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 4,362 | Kr. 109,05 |
| 250 - 600 | Kr. 4,147 | Kr. 103,68 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,71 | Kr. 92,75 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,66 | Kr. 66,50 |
| 2500 + | Kr. 2,094 | Kr. 52,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4957
- Producentens varenummer:
- SiSHA14DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SiSHA14DN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Højde | 0.93mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SiSHA14DN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Højde 0.93mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 20 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSHA14DN Nej
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSHA10DN Nej SISHA10DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISA10DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 162 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS52DN Nej SiSS52DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET Nej SIS468DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 25 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSHA12ADN Nej SiSHA12ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 181.8 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS60DN Nej SISS60DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISA04DN-T1-GE3