Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.720,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.650,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,24Kr. 3.720,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4899
Producentens varenummer:
SiSHA14DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SiSHA14DN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.4nC

Effektafsættelse maks. Pd

26.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.93mm

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.3 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Relaterede links