MPN

Vishay N-Kanal, MOSFET, 33,8 A 150 V, 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

RS-varenummer:: 268-8346
Producentens varenummer:: SISS5708DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 33,8 A 150 V, 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig

RS-varenummer:: 268-8346
Producentens varenummer:: SISS5708DN-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	33,8 A
	Drain source spænding maks.	150 V
	Kapslingstype	PowerPAK 1212-8S
	Monteringstype	Overflademontering
	Benantal	8
	Kanalform	Enhancement
	Antal elementer per chip	2
	Transistormateriale	Silicium

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 33,8 A
	Drain source spænding maks. 150 V
	Kapslingstype PowerPAK 1212-8S
	Monteringstype Overflademontering
	Benantal 8
	Kanalform Enhancement
	Antal elementer per chip 2
	Transistormateriale Silicium

Datasheet - SISS5708DN-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay N-kanal TrenchFET generation 5 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Det bruges i applikationer som synkronretning, motorstyring, strømforsyninger.

Meget lavt tal for fortjeneste
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent

Vishay N-Kanal, MOSFET, 33,8 A 150 V, 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS5708DN-T1-GE3

Relaterede links