Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 26.2 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS Nej SISS5710DN-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 16.224,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.280,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,408Kr. 16.224,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8348
Producentens varenummer:
SISS5710DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26.2A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0315Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

54.3W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 5 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Det bruges i applikationer som synkronretning, motorstyring, strømforsyninger.

Meget lavt tal for fortjeneste

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links