Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 59.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS
- RS-varenummer:
- 279-9988
- Producentens varenummer:
- SISS4409DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 63,80
(ekskl. moms)
Kr. 79,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,76 | Kr. 63,80 |
| 50 - 95 | Kr. 9,574 | Kr. 47,87 |
| 100 - 245 | Kr. 8,528 | Kr. 42,64 |
| 250 - 995 | Kr. 8,362 | Kr. 41,81 |
| 1000 + | Kr. 8,168 | Kr. 40,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9988
- Producentens varenummer:
- SISS4409DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 59.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 126nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 59.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 126nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
Ny generation af effekt-MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Ultra lav RDS x Qg FOM produkt
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 59.2 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS4409DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS5108DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS5110DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 128 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS4402DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 40.7 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS5112DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 66.6 A 80 V Forbedring 1212-8S, SISS Nej SISS5808DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 26.2 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS Nej SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S, SIS Nej SiSS588DN-T1-GE3
