Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 66.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS Nej SISS5808DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 51,392

(ekskl. moms)

Kr. 64,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 12,848Kr. 51,39
60 - 96Kr. 12,585Kr. 50,34
100 - 236Kr. 12,343Kr. 49,37
240 - 996Kr. 12,08Kr. 48,32
1000 +Kr. 11,80Kr. 47,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
280-0003
Producentens varenummer:
SISS5808DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66.6A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SISS

Emballagetype

1212-8S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00745Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links