Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 59.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.896,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.370,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,632Kr. 13.896,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9987
Producentens varenummer:
SISS4409DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

59.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

1212-8S

Serie

SISS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

126nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

Ny generation af effekt-MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

Ultra lav RDS x Qg FOM produkt

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.