Vishay N-Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS

Se alle MOSFET

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 14.520,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.150,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,84Kr. 14.520,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9993
Producentens varenummer:
SISS5110DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SISS

Emballagetype

1212-8S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0126Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.