Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS Nej SISS5110DN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 58,42

(ekskl. moms)

Kr. 73,024

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 6.000 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 14,605Kr. 58,42
60 - 96Kr. 10,958Kr. 43,83
100 - 236Kr. 9,743Kr. 38,97
240 - 996Kr. 9,518Kr. 38,07
1000 +Kr. 9,313Kr. 37,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9994
Producentens varenummer:
SISS5110DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

1212-8S

Serie

SISS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0126Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

56.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links