Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS30DN

Se alle MOSFET

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 8,90

(ekskl. moms)

Kr. 11,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd
Pr bånd
1 +Kr. 8,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
736-352
Producentens varenummer:
SISS30DN-T1-BE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

54.7A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SISS30DN

Emballagetype

PowerPAK 1212-8S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.00825Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

26nC

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bredde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektive synkrone ensretnings- og strømkonverteringsanvendelser. Den giver fremragende ydeevnestabilitet i krævende miljøer.

TrenchFET Gen IV-teknologi forbedrer den elektriske effektivitet

Meget lav modstand ved tænding minimerer energitab under drift

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.