Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30ADN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 11.454,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.316,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,818Kr. 11.454,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-5010
Producentens varenummer:
SiSS30ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

54.7A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30ADN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.4 mm

Højde

0.83mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype med 54,7 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links