Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 83,03

(ekskl. moms)

Kr. 103,79

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,303Kr. 83,03
100 - 240Kr. 7,891Kr. 78,91
250 - 490Kr. 5,984Kr. 59,84
500 - 990Kr. 5,393Kr. 53,93
1000 +Kr. 4,563Kr. 45,63

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5051
Producentens varenummer:
SISS30LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiSS30LDN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.78mm

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.