Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN Nej SISS30LDN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 84,30

(ekskl. moms)

Kr. 105,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 8,43Kr. 84,30
100 - 240Kr. 8,004Kr. 80,04
250 - 490Kr. 6,074Kr. 60,74
500 - 990Kr. 5,475Kr. 54,75
1000 +Kr. 4,63Kr. 46,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5051
Producentens varenummer:
SISS30LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS30LDN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

12mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.3mm

Bredde

3.3 mm

Højde

0.78mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links