Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN
- RS-varenummer:
- 188-4902
- Producentens varenummer:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 11.400,00
(ekskl. moms)
Kr. 14.250,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,80 | Kr. 11.400,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4902
- Producentens varenummer:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SiSS30LDN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.78mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SiSS30LDN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32.5nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.78mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 55.5 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30LDN
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay Type N-Kanal 63 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS32ADN
- Vishay Type N-Kanal 54.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30ADN
- Vishay Type N-Kanal 45.1 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS126DN
- Vishay Type N-Kanal 33.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS128LDN
- Vishay Type N-Kanal 42.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.3 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET