Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 33.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS128LDN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 62,53

(ekskl. moms)

Kr. 78,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,253Kr. 62,53
100 - 240Kr. 5,954Kr. 59,54
250 - 490Kr. 5,326Kr. 53,26
500 - 990Kr. 3,822Kr. 38,22
1000 +Kr. 3,014Kr. 30,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5153
Producentens varenummer:
SiS128LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33.7A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiS128LDN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

20.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.07mm

Længde

3.15mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.