Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 33.7 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS128LDN Nej SiS128LDN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-5153
- Producentens varenummer:
- SiS128LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 56,92
(ekskl. moms)
Kr. 71,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,692 | Kr. 56,92 |
| 100 - 240 | Kr. 5,416 | Kr. 54,16 |
| 250 - 490 | Kr. 4,847 | Kr. 48,47 |
| 500 - 990 | Kr. 3,471 | Kr. 34,71 |
| 1000 + | Kr. 2,738 | Kr. 27,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5153
- Producentens varenummer:
- SiS128LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 33.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS128LDN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.15mm | |
| Bredde | 3.15 mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS128LDN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.15mm | ||
Bredde 3.15 mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 33.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS128LDN Nej
- Vishay Type N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET Nej SIS468DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 63 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS32ADN Nej SiSS32ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 45.1 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS126DN Nej SIS126DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 55.5 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30LDN Nej SISS30LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 54.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30ADN Nej SiSS30ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 45.1 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS126DN Nej
- Vishay Type N-Kanal 54.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30ADN Nej