Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 14.895,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.618,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,965Kr. 14.895,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-5013
Producentens varenummer:
SiSS32ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiSS32ADN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.4 mm

Højde

0.83mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype med 63 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links