Vishay N-Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN
- RS-varenummer:
- 210-5013
- Producentens varenummer:
- SiSS32ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 17.745,00
(ekskl. moms)
Kr. 22.182,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,915 | Kr. 17.745,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5013
- Producentens varenummer:
- SiSS32ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SiSS32ADN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 830μm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SiSS32ADN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 830μm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype med 63 A drænstrøm.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 63 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS32ADN
- Vishay N-Kanal 30 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay N-Kanal 45.1 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS126DN
- Vishay N-Kanal 55.5 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30LDN
- Vishay N-Kanal 33.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS128LDN
- Vishay N-Kanal 54.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS30ADN
- Vishay N-Kanal 185.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S