Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 14.895,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.618,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 9.000 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,965Kr. 14.895,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-5013
Producentens varenummer:
SiSS32ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

63A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS32ADN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

24nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.83mm

Bredde

3.4 mm

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype med 63 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links