Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 67.4 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS76LDN Nej SiSS76LDN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 210-5018
- Producentens varenummer:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 54,90
(ekskl. moms)
Kr. 68,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Udgår
- Sidste 7.990 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,49 | Kr. 54,90 |
| 100 - 240 | Kr. 5,386 | Kr. 53,86 |
| 250 - 490 | Kr. 4,279 | Kr. 42,79 |
| 500 - 990 | Kr. 3,628 | Kr. 36,28 |
| 1000 + | Kr. 2,992 | Kr. 29,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5018
- Producentens varenummer:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | SiSS76LDN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 0.83mm | |
| Bredde | 3.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie SiSS76LDN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 0.83mm | ||
Bredde 3.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 70 V (D-S) MOSFET har PowerPAK 1212-8S hustype.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 67 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 66 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS78LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 PowerPAK 1212-8S SISS42LDN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS92DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 162 A 30 V PowerPAK 1212-8S SiSS52DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 58.1 A. 80 V PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 181 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS60DN-T1-GE3
