Vishay N-Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-242
- Producentens varenummer:
- SISS586DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 11,74
(ekskl. moms)
Kr. 14,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,74 |
| 10 - 99 | Kr. 8,15 |
| 100 - 499 | Kr. 5,83 |
| 500 + | Kr. 4,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-242
- Producentens varenummer:
- SISS586DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0085Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0085Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bredde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømskift i en lang række elektroniske anvendelser. Den leverer pålidelig ydeevne med grundig portmodstand og uklæbende induktiv koblingstest, der sikrer robust drift under krævende forhold. Enheden understøtter miljøvenlige design med RoHS-overensstemmelse og halogenfri konstruktion, hvilket gør den velegnet til moderne strømstyringssystemer.
Understøtter høj driftssikkerhed i krævende miljøer
Velegnet til synkrone ensretningsanvendelser
Ideel til brug som primær sidekontakt i strømomformere
Opfylder RoHS-overensstemmende og halogenfri krav
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 59 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS26DN
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS64DN
- Vishay N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
- Vishay N-Kanal 26.2 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS
- Vishay N-Kanal 66.7 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SiSS78LDN
- Vishay N-Kanal 54.7 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS30DN