Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 9,35

(ekskl. moms)

Kr. 11,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 9,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-242
Producentens varenummer:
SISS586DN-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70.6A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212-8S

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0085Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømskift i en lang række elektroniske anvendelser. Den leverer pålidelig ydeevne med grundig portmodstand og uklæbende induktiv koblingstest, der sikrer robust drift under krævende forhold. Enheden understøtter miljøvenlige design med RoHS-overensstemmelse og halogenfri konstruktion, hvilket gør den velegnet til moderne strømstyringssystemer.

Understøtter høj driftssikkerhed i krævende miljøer

Velegnet til synkrone ensretningsanvendelser

Ideel til brug som primær sidekontakt i strømomformere

Opfylder RoHS-overensstemmende og halogenfri krav

Relaterede links