Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 735-204
- Producentens varenummer:
- SISS5207DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 9,72
(ekskl. moms)
Kr. 12,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 9,72 |
| 25 - 99 | Kr. 6,36 |
| 100 - 499 | Kr. 3,29 |
| 500 + | Kr. 3,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-204
- Producentens varenummer:
- SISS5207DN-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -136.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.011Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 139nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 0.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -136.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8S | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.011Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 139nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 0.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay P-kanal MOSFET 20 V er skræddersyet til effektiv belastningsswitching i kompakte elektroniske designs. Den kombinerer pålidelig ydeevne med miljøvenlig overensstemmelse, hvilket sikrer sikker og bæredygtig drift. Dens lavspændingsevne gør den ideel til moderne forbruger- og bilanvendelser, der kræver pålidelige switche-løsninger.
Sikrer overholdelse af RoHS for miljøsikkerhed
Leverer halogenfri konstruktion for sikrere brug
Tilbyder egnethed til belastningsafbryderanvendelser
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 59 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N-kanal-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -136.7 A -20 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S
- Vishay Type N-Kanal 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S, SIS
- Vishay N-kanal-Kanal 85 A 12 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 162 A 30 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay N-kanal-Kanal 124 A 40 V Forbedring 1212-F, TrenchFET
