Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 9,50

(ekskl. moms)

Kr. 11,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 9,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-241
Producentens varenummer:
SISS516DN-T1-UE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

59A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAK 1212-8S

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.011Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.3mm

Bredde

3.3mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N-kanal MOSFET er designet til effektiv strømskift i en lang række elektroniske anvendelser. Den leverer pålidelig ydeevne med grundig portmodstand og uklæbende induktiv koblingstest, der sikrer robust drift under krævende forhold. Enheden understøtter miljøvenlige design med RoHS-overensstemmelse og halogenfri konstruktion, hvilket gør den velegnet til moderne strømstyringssystemer.

Understøtter høj driftssikkerhed i krævende miljøer

Velegnet til synkrone ensretningsanvendelser

Ideel til brug som primær sidekontakt i strømomformere

Opfylder RoHS-overensstemmende og halogenfri krav

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.