Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA12ADN Nej SiSHA12ADN-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 113,55

(ekskl. moms)

Kr. 141,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 4,542Kr. 113,55
125 - 225Kr. 4,314Kr. 107,85
250 - 600Kr. 3,86Kr. 96,50
625 - 1225Kr. 2,768Kr. 69,20
1250 +Kr. 2,178Kr. 54,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4936
Producentens varenummer:
SiSHA12ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA12ADN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

29.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

28W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Længde

3.3mm

Højde

0.93mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Relaterede links