ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A 1200 V Forbedring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4036KWA Nej SCT4036KWATL

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 174,09

(ekskl. moms)

Kr. 217,612

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 8Kr. 87,045Kr. 174,09
10 +Kr. 84,46Kr. 168,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-344
Producentens varenummer:
SCT4036KWATL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

SCT4036KWA

Emballagetype

TO-263-7LA

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

36mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

91nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

21 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.5mm

Bredde

10.2 mm

Længde

15.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
ROHM SiC-effekt-MOSFET med N-kanal er designet til højtydende anvendelser, der kræver effektive skiftefunktioner. Med en maksimal drain-source-spænding på 1200 V og en typisk modstand på 36 mΩ udmærker denne enhed sig i krævende miljøer som f.eks. solcelleinvertere og DC/DC-omformere. Dens robuste design har en høj kontinuerlig mærkestrøm på 40 A ved 25 °C, hvilket understøtter alsidighed i forskellige anvendelser. Enheden er optimeret til hurtig omskiftning, hvilket giver øget effektivitet. Desuden er den blyfri blybelægning i overensstemmelse med RoHS-standarderne, hvilket sikrer en miljøvenlig tilgang uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Leverer lav modstand ved tænding for minimalt effekttab under drift

Understøtter en bred vifte af kontinuerlige og pulserende afløbsstrømme for øget fleksibilitet i design

Optimeret til hurtige skiftehastigheder, hvilket bidrager til forbedret samlet effektivitet

Med robust termisk modstandsevne, der muliggør pålidelig drift ved høje temperaturer

Inkorporerer et enkelt gate-driverdesign, der letter integrationen i eksisterende systemer

I overensstemmelse med miljøforskrifter med blyfri blybelægning, der er i overensstemmelse med moderne bæredygtighedspraksis

Giver en bred krybeafstand på 4,7 mm, hvilket øger pålideligheden i højspændingsanvendelser

Relaterede links