ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A 1200 V Forbedring, 8 Ben, TO-263-7LA, SCT4036KWA
- RS-varenummer:
- 687-344
- Producentens varenummer:
- SCT4036KWATL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 174,09
(ekskl. moms)
Kr. 217,612
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 87,045 | Kr. 174,09 |
| 10 + | Kr. 84,46 | Kr. 168,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-344
- Producentens varenummer:
- SCT4036KWATL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | TO-263-7LA | |
| Serie | SCT4036KWA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 91nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.5mm | |
| Længde | 15.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype TO-263-7LA | ||
Serie SCT4036KWA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 91nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.5mm | ||
Længde 15.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
ROHM SiC-effekt-MOSFET med N-kanal er designet til højtydende anvendelser, der kræver effektive skiftefunktioner. Med en maksimal drain-source-spænding på 1200 V og en typisk modstand på 36 mΩ udmærker denne enhed sig i krævende miljøer som f.eks. solcelleinvertere og DC/DC-omformere. Dens robuste design har en høj kontinuerlig mærkestrøm på 40 A ved 25 °C, hvilket understøtter alsidighed i forskellige anvendelser. Enheden er optimeret til hurtig omskiftning, hvilket giver øget effektivitet. Desuden er den blyfri blybelægning i overensstemmelse med RoHS-standarderne, hvilket sikrer en miljøvenlig tilgang uden at gå på kompromis med ydeevnen.
Leverer lav modstand ved tænding for minimalt effekttab under drift
Understøtter en bred vifte af kontinuerlige og pulserende afløbsstrømme for øget fleksibilitet i design
Optimeret til hurtige skiftehastigheder, hvilket bidrager til forbedret samlet effektivitet
Med robust termisk modstandsevne, der muliggør pålidelig drift ved høje temperaturer
Inkorporerer et enkelt gate-driverdesign, der letter integrationen i eksisterende systemer
I overensstemmelse med miljøforskrifter med blyfri blybelægning, der er i overensstemmelse med moderne bæredygtighedspraksis
Giver en bred krybeafstand på 4,7 mm, hvilket øger pålideligheden i højspændingsanvendelser
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring TO-263-7LA, SCT4018KWA
- ROHM Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263-7LA, SCT
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 17 A 1200 V Forbedring TO-263-7LA, SCT AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 31 A 31 V Forbedring TO-263-7LA, SCT4045 AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 75 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring TO-263
- ROHM Type N-Kanal 24 A 1200 V Forbedring TO-263