ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 6 Ben, DFN2020Y7LSAA, RF9P120BKFRA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-387P
- Producentens varenummer:
- RF9P120BKFRATCR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 189,20
(ekskl. moms)
Kr. 236,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 9,46 |
| 50 - 198 | Kr. 8,525 |
| 200 - 998 | Kr. 6,805 |
| 1000 + | Kr. 6,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-387P
- Producentens varenummer:
- RF9P120BKFRATCR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | DFN2020Y7LSAA | |
| Serie | RF9P120BKFRA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.65mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype DFN2020Y7LSAA | ||
Serie RF9P120BKFRA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.65mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 2.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv omskiftning i forskellige anvendelser, herunder biler, belysning og karrosserielektronik. Denne komponent er udviklet til at understøtte en robust kontinuerlig drain-strøm på ±12 A og en maksimal drain-source-spænding på 100 V og udmærker sig i miljøer, der kræver pålidelighed og effektivitet. Dens avancerede design har lav modstand ved tænding og høj effekttæthed, hvilket sikrer optimal ydeevne i overensstemmelse med AEC-Q101-standarder og RoHS-bestemmelser. Det kompakte DFN2020Y7LSAA-hus muliggør yderligere nem integration i pladsbegrænsede design, hvilket gør det til et alsidigt valg til moderne elektroniske løsninger.
AEC Q101-kvalificeret til brug i biler, hvilket sikrer pålidelighed
Lav modstand ved tænding (RDS(on)), hvilket forbedrer effektiviteten under drift
Understøtter en drain-source-spænding på 100 V, der er velegnet til højspændingsanvendelser
Kontinuerlig afløbsstrøm på ±12 A, der er i stand til at håndtere krævende belastninger
Har blyfri belægning, der sikrer overholdelse af miljøstandarder
Halogenfri, hvilket bidrager til miljøvenligt produktdesign
Høj effekttæthed med et maksimalt effekttab på 23 W, der optimerer den termiske ydeevne