ROHM Type P, Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5
- RS-varenummer:
- 687-389P
- Producentens varenummer:
- HT8MC5TB1
- Brand:
- ROHM
Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 9,05
(ekskl. moms)
Kr. 11,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 4,525 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-389P
- Producentens varenummer:
- HT8MC5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Serie | HT8MC5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 97mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.45mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Serie HT8MC5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 97mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.45mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanal og P-kanal effekt-MOSFET, der er designet til effektive motorstyringsanvendelser. Denne enhed er indbygget i et avanceret HSMT8-hus og har lav modstand i tændt tilstand, hvilket muliggør forbedret strømstyring, samtidig med at varmeproduktionen minimeres. Dens robuste egenskaber gør den velegnet til forskellige anvendelser, der kræver pålidelighed og effektivitet, især i miljøer, hvor pladsen er af afgørende betydning. Med et blyfrit og RoHS-kompatibelt design er den på linje med moderne standarder for miljøsikkerhed, samtidig med at den leverer imponerende specifikationer, der sikrer alsidig anvendelse på tværs af en lang række elektroniksektorer.
Lav modstand ved tænding forbedrer energieffektiviteten og reducerer energitab
Lille formpakke med høj effekt (HSMT8) er ideel til anvendelser med begrænset plads
Blyfri belægning og RoHS-overholdelse sikrer miljøvenlighed
Halogenfri konstruktion giver ekstra sikkerhed og overensstemmelse
Fuldt Rg- og UIS-testet for forbedret pålidelighed under dynamiske forhold
Præget emballage optimerer håndtering og isætning under fremstilling
Maksimal samlingstemperatur på 150 °C giver pålidelig ydeevne i miljøer med høj varme.