ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 40 A -40 V Forbedring, 8 Ben, DFN3333T8LSAB, RH7G04BBJFRAT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-447P
- Producentens varenummer:
- RH7G04BBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 119,80
(ekskl. moms)
Kr. 149,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 5,99 |
| 50 - 198 | Kr. 5,38 |
| 200 - 998 | Kr. 4,33 |
| 1000 + | Kr. 4,245 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-447P
- Producentens varenummer:
- RH7G04BBJFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | DFN3333T8LSAB | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype DFN3333T8LSAB | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til robust ydeevne i krævende anvendelser og giver fremragende effektivitet og pålidelighed. Med en maksimal drain-source-spænding på -40 V og kontinuerlige drænstrømsegenskaber, der når op på 40 A, udmærker denne komponent sig inden for strømstyring. Dens lave modstand i tændt tilstand på kun 11,9 mΩ forbedrer energieffektiviteten, hvilket gør den til et ideelt valg til biler og industrielle systemer. Denne MOSFET er designet til at modstå temperaturer fra -55 til 175 °C og sikrer holdbarhed og stabilitet under en lang række forhold, mens dens AEC-Q101-kvalifikation signalerer dens egnethed til bilmiljøer, hvilket bidrager til øget enhedssikkerhed og effektivitet.
AEC Q101-kvalificeret til pålidelige anvendelser i biler
100 % avalanche-testet for øget sikkerhed under ekstreme forhold
Samlehus med lav termisk modstand, der fremmer effektiv varmeafledning
Bredt driftstemperaturområde sikrer ydeevnens stabilitet i barske miljøer
Minimal modstand i tændt tilstand optimerer energieffektiviteten og reducerer det samlede effekttab
Kapacitive egenskaber er skræddersyet til anvendelser med hurtig omskiftning, hvilket forbedrer ydeevnen
Designet med fugtige flanker letter pålidelig lodning og forbedret samlingskvalitet
Egnet til forskellige anvendelser, herunder ADAS, belysning og kropsstyringssystemer